以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料，在5G、電動/混動汽車、照明、可再生能源、服務器和工業(yè)電源等領域獲得廣泛應用，而這些應用領域對器件的性能和可靠性有著極高的要求。本次直播將重點介紹如何確保向用戶交付的SiC和GaN器件既可靠又有出色的電性能。
主辦
中國電子信息博覽會（CITE2020）
協(xié)辦
上海市集成電路行業(yè)協(xié)會
《中國電子商情》雜志社
合作媒體
TechSugar、科鈦網、半導體商城
解讀基于第三代寬禁帶半導體器件的電源測試設計方案
第三代寬禁帶半導體器件SiC& GaN為電源設計行業(yè)的發(fā)展帶來了重大變革。GaN 技術將廣泛應用于RF功率放大器，SiC則在電機、驅動器和逆變器等較大功率設計中找到了用武之地。半導體研發(fā)工程師正在努力驗證和檢定新器件。驅動器制造商正在研發(fā)新的電路驅動器來滿足更快開關速度、EMI 管理和更復雜拓撲網絡的要求。本次直播將為您解讀基于全新第三代寬禁帶半導體的電源設計的全新測試解決方案，半導體廠家如何標定這些器件的靜態(tài)參數，如何驗證它的動態(tài)參數，如何優(yōu)化橋式電路設計及最終產品級別的評價。
演講嘉賓：泰克科技華東區(qū)業(yè)務拓展經理 黃正峰
黃正峰先生畢業(yè)于浙江大學信息工程專業(yè)，泰克資深技術專家，專攻功率電子領域新技術與方案。鉆研測試測量技術超過14載，對光伏、儲能、鋰電、微網、EV、物聯(lián)網、光通信等多個應用方向的電測技術進行了深入的研究，對各行業(yè)中的電源測試有著深刻的理解和豐富的經驗。
碳化硅功率器件技術及可靠性探討
演講摘要：重點介紹SiC在設計和制造過程中需要重點關注的技術點，以確保交付給客戶高質量的產品。
1）SiC器件的襯底和外延片的技術要點；
2） SiC芯片設計時可靠性驗證的方法；
3）芯片封裝和測試的技術要點。
演講嘉賓：基本半導體技術營銷總監(jiān) 魏煒
魏煒先生畢業(yè)于華中科技大學，電力電子技術碩士。曾供職于艾默生網絡能源有限公司，之后加入國內知名代理商晶川電子，任技術支持總監(jiān)。于2010年加入CONCEPT，被PI收購后任中國區(qū)IGBT驅動器產品線技術總監(jiān)。2019年加入基本半導體。
歡迎來電咨詢
地址北京西三環(huán)72號世紀經貿大廈
郵箱hxh@cead.com.cn
傳真010-63937966
m.jiuyundao.cn 版權所有 ? 2026 Inc. 京ICP備11007969號-10 網站地圖
